BCR135
Symbol Micros:
TBCR135
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR135E6327HTSA1; BCR135E6327; BCR135E6327HTMA1; BCR135E6327XT; BCR135E6359HTMA1;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5165 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8750 | 0,4150 | 0,2340 | 0,1770 | 0,1590 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
240000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1590 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135E6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1590 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1590 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |