BCR135

Symbol Micros: TBCR135
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR135E6327HTSA1; BCR135E6327; BCR135E6327HTMA1; BCR135E6327XT; BCR135E6359HTMA1;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR135E6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2465 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta