BCR135SH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR135s
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xNPN; 70; 250mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR135SH6327XTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135SH6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9280 | 0,5130 | 0,3410 | 0,2850 | 0,2650 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR135SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2650 |
| Moc strat: | 250mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xNPN |