BCR135WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBCR135wh
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 70; 250mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR135WH6327;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR135WH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
530 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,5170 0,2360 0,1280 0,0953 0,0862
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR135WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1274
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR135WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1438
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR135WH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1521
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN