BCR141
Symbol Micros:
TBCR141
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 50; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR141E6327;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR141 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ | 2500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3560 | 0,1400 | 0,0813 | 0,0657 | 0,0547 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR141E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1099 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR141E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1294 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |