BCR141

Symbol Micros: TBCR141
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 50; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR141E6327;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR141 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 500+ 2500+
cena netto (PLN) 0,3560 0,1400 0,0813 0,0657 0,0547
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR141E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1099
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR141E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1294
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN