BCR146E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR146
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 50; 200mW; 50V; 70mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR146E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 70mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR146E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3660 0,1440 0,0842 0,0616 0,0563
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR146E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1106
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR146E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1086
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 70mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN