BCR148E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR148
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR148E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR148E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3480 | 0,1370 | 0,0802 | 0,0587 | 0,0536 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR148E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1233 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |