BCR158WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR158w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR158WH6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR158WH6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5830 0,2770 0,1560 0,1180 0,1060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP