BCR166E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR166
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 70; 200mW; 50V; 100mA; 160MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR166E6327HTSA1; BCR 166 E6327;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 160MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR 166 E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2700 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3900 | 0,1540 | 0,0898 | 0,0657 | 0,0600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR166E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1148 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR166E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1126 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 160MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |