BCR183E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR183
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 30; 200mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR183E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR183E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2880 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3900 | 0,1540 | 0,0898 | 0,0657 | 0,0600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR183E6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1176 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR183E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1268 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR183E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1176 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |