BCR198E6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR198
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor PNP; 70; 200mW; 50V; 100mA; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR198E6327HTSA1; BCR 198 E6327;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 190MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR 198 E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3660 | 0,1440 | 0,0842 | 0,0616 | 0,0563 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR198E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0667 |
| Moc strat: | 200mW |
| Częstotliwość graniczna: | 190MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |