BCR503
Symbol Micros:
TBCR503
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 40; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR503E6327; BCR503E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: BCR503 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1140 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4680 | 0,1840 | 0,1080 | 0,0788 | 0,0720 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR503E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1836 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR503E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1758 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 40 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |