BCR505E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBCR505
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; BCR505; BCR505E6327HTSA1; BCR505E6327;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR505E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5150 | 0,3380 | 0,2920 | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR505E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5150 | 0,3380 | 0,2920 | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR505E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR505E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR505E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
14500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |