BCR523E6433HTMA1
Symbol Micros:
TBCR523
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523E6327HTSA1; BCR523E6433HTMA1; BCR523E6433; BCR523E6327; BCR523E INFINEON;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR523E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 | 0,5330 | 0,3540 | 0,2950 | 0,2750 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR523E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
660 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9630 | 0,5330 | 0,3540 | 0,2950 | 0,2750 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR523E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
3 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2750 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR523E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
25000 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2750 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |