BCR533
Symbol Micros:
TBCR533
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR533E6327; BCR533E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR533E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1300 | 0,6050 | 0,4710 | 0,4260 | 0,4120 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR533E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4120 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR533E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4120 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR533E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
38500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4120 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |