BCR555 Infineon
Symbol Micros:
TBCR555
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 70; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR555E6433; BCR555E6327HTSA1; BCR555E6327; BCR555E6433HTMA1;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR555E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2090 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0000 | 1,2100 | 0,9290 | 0,8390 | 0,7980 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR555E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7980 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR555E6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7980 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR555E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7980 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |