BCV26 smd
Symbol Micros:
TBCV26
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV26,215; SP000010873; BCV26,235; BCV26E6327HTSA1; BCV26.215;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCV26 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
2900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0300 | 0,5230 | 0,3170 | 0,2510 | 0,2290 |
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |