BCV27,215

Symbol Micros: TBCV27

Obudowa: SOT23

Tranzystor NPN; 20000; 350mW; 30V; 1,2A; 220MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV27E6327HTSA1; BCV27,215; BCV27E6327; BCV27.215;

Parametry

Moc strat:	350mW
Częstotliwość graniczna:	220MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	20000
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	1,2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	30V

Producent: NXP Symbol producenta: BCV27 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

210 szt.

ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,9140	0,4630	0,2810	0,2230	0,2030

Producent: Infineon Symbol producenta: BCV27E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

6000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2030

Producent: Nexperia Symbol producenta: BCV27,215 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

15000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2030

Producent: Nexperia Symbol producenta: BCV27,215 Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnetrzny:

27000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,2030

Moc strat:	350mW
Częstotliwość graniczna:	220MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	20000
Producent:	ON SEMICONDUCTOR
Obudowa:	SOT23
Maksymalny prąd kolektora:	1,2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	30V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	NPN

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,7210	0,2880	0,1680	0,1400	0,1310