BCV27
Symbol Micros:
TBCV27 ONS
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN - Darlington; Bipolar; 20000; 30V; 5V; 220MHz; 1.2A; 350mW; -55°C~150°C;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCV27 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2300 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,4180 | 0,2350 | 0,1790 | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCV27
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCV27
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCV27
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1600 |
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 220MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20000 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |