BCV46,215

Symbol Micros: TBCV46
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 10000; 250mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCV46,215; BCV46.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: NXP Symbol producenta: BCV46,215 RoHS FE. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5440 0,3280 0,2590 0,2390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: NXP Symbol producenta: BCV46,215 RoHS FE. Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5440 0,3280 0,2590 0,2390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: Nexperia Symbol producenta: BCV46,215 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: NXP
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP