BCV46E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBCV46 INF
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 10000; 360mW; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCV46E6327; BCV46E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 360mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCV46E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
19 szt.
| ilość szt. | 5+ | 19+ |
|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0500 | 0,2340 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCV46E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
24998 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2340 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCV46E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
12200 szt.
| ilość szt. | 100+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2361 |
| Moc strat: | 360mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |