BCV47 SHIKUES

Symbol Micros: TBCV47 SHK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 10000; 200mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C ~ 150°C; c
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 220MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: SHIKUES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: SHIKUES Symbol producenta: BCV47 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6880 0,2750 0,1600 0,1330 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 220MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 10000
Producent: SHIKUES
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN