BCV49TA DIODES

Symbol Micros: TBCV49TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCV49TA RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
450 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5920 0,3880 0,3350 0,3090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta