BCW60B
Symbol Micros:
TBCW60b
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 310; 330mW; 32V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW60BE6327HTSA1
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 310 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW60BE6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCW60B,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0784 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCW60B,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0869 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 310 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |