BCW61A

Symbol Micros: TBCW61a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 220; 330mW; 32V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61AE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW 61A E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4070 0,1600 0,0937 0,0685 0,0626
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW61AE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1408
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 220
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP