BCW61D
Symbol Micros:
TBCW61d
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 630; 250mW; 32V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61D,215; BCW61DE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BCW61D RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3800 | 0,1500 | 0,0875 | 0,0640 | 0,0585 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCW61D,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0785 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCW61D,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0784 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCW61D,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0869 |
Moc strat: | 250mW |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |