BCW66H INFINEON
Symbol Micros:
TBCW66h
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 630; 330mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66HB6327; BCW66HE6327; BCW66HTA; BCW66HTC;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW66H Pbf EH.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6000 | 0,2840 | 0,1590 | 0,1200 | 0,1090 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCW66HTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2251 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCW66HTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2371 |
| Moc strat: | 330mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |