BCW66KH
Symbol Micros:
TBCW66kh
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 630; 500mW; 45V; 800mA; 170MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66KHE6327HTSA1; BCW66KHB6327HTLA1;
Parametry
| Moc strat: | 500mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW66KHE6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2850 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9350 | 0,4440 | 0,2500 | 0,1900 | 0,1700 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW66KHE6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
210500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1700 |
| Moc strat: | 500mW |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |