BCW68G

Symbol Micros: TBCW68g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 400; 330mW; 45V; 800mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW68GLT3G; BCW68GLT1G; BCW68GE6327HTSA1; BCW68GE6327; BCW68G E6327 SP000015039;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW68GE6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9300 0,4420 0,2480 0,1890 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCW68GE6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta