BCX19LT1G
Symbol Micros:
TBCX19
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX19,215; BCX19,235; BCX19LT1G; BCX19;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX19LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5990 | 0,2750 | 0,1500 | 0,1120 | 0,0998 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX19LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1200 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCX19LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0998 |
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |