BCX19LT1G

Symbol Micros: TBCX19
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX19,215; BCX19,235; BCX19LT1G; BCX19;
Parametry
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BCX19LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5990 0,2750 0,1500 0,1120 0,0998
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BCX19LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BCX19LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0998
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN