BCX41E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCX41
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 63; 330mW; 125V; 800mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX41E6327HTSA1; BCX41E6433HTMA1; BCX41TA; BCX41; BCX41E6327; BCX41 E6327; BCX41E6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX41 E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,5760 0,4470 0,4120 0,3950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX41E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
17100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCX41TA Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-03-14
Ilość szt.: 3000
Moc strat: 330mW
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 63
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 125V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta