BCX53-16
Symbol Micros:
TBCX5316
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 250; 500mW; 80V; 1A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX53-16-DIO; BCX5316E6327; BCX5316E6327HTSA1; BCX5316H6327XTSA1; BCX5316H6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: | 500mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BCX53-16 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
Stan magazynowy:
6000 szt.
ilość szt. | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8800 | 0,3500 | 0,2030 | 0,1680 | 0,1600 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BCX53-16
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1600 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5316QTA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2341 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCX5316QTA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2471 |
Moc strat: | 500mW |
Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | LGE |
Obudowa: | SOT89 |
Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |