BCX56,115

Symbol Micros: TBCX56
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1A; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX56,115; BCX56,135; BCX56E6327HTSA1; BCX56H6327XTSA1; BCX56TA; BCX56.115;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: NXP
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: BCX56,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5920 0,3880 0,3350 0,3090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: NXP
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta