BCX56-16 SOT89 LGE

Symbol Micros: TBCX5616 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
NPN 100nA 80V 1W 1A 100MHz 500mV@500mA,50mA -65°C~150°C@(Tj) SOT-89
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN
Producent: LGE Symbol producenta: BCX56-16 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,3940 0,2290 0,1910 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1W
Producent: LGE
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 50mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta