BCX68-10

Symbol Micros: TBCX6810
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 160; 3W; 20V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCX6810E6327HTSA1; BCX6810H6327XTSA1;
Parametry
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCX68-10 E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5370 0,3200 0,2650 0,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 3W
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta