BD137

Symbol Micros: TBD137
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 250; 8W; 60V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD138; BD137-CDI;
Parametry
Moc strat: 8W
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: NXP Symbol producenta: BD137 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
1505 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9420 0,4550 0,3110 0,2760 0,2690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200/2000
Moc strat: 8W
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: NXP
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN