BD13716STU

Symbol Micros: TBD13716stu
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 250; 1,25W; 60V; 1,5A; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD13716STU RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 60+ 180+ 900+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9400 1,5000 1,4000 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD13716STU RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
180 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 60+ 180+ 900+
cena netto (PLN) 3,0600 1,9400 1,5000 1,4000 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
60/180
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD13716STU Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
840 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 1,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1920
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,25W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 1,5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN