BD139-10
Symbol Micros:
TBD13910 STM
Obudowa: SOT32
Tranzystor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 12,5W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT32 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ST
Symbol producenta: BD139-10 RoHS
Obudowa dokładna: SOT32
karta katalogowa
Stan magazynowy:
700 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 700+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3400 | 0,8760 | 0,6250 | 0,5460 | 0,5160 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD139-10
Obudowa dokładna: SOT32
Magazyn zewnętrzny:
16800 szt.
| ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5160 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD139-10
Obudowa dokładna: SOT32
Magazyn zewnętrzny:
22286 szt.
| ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5160 |
| Moc strat: | 12,5W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | SOT32 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |