BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 65W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
340 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,5200 | 3,0000 | 2,3100 | 2,1800 | 2,1500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3450 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2979 |
| Moc strat: | 65W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |