BD243CG TO220 ON
Symbol Micros:
TBD243cg ON
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 30; 65W; 100V; 6A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 65W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,8100 | 3,1900 | 2,4600 | 2,3200 | 2,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2457 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1250 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BD243CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1833 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2900 |
| Moc strat: | 65W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 6A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |