BD437

Symbol Micros: TBD437
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 85; 1,25W; 45V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD437-LGE;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 85
Producent: LGE
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: LGE Symbol producenta: BD437 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9490 0,5230 0,3460 0,2880 0,2710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD437G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
1500 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5587
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD437G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6778
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 85
Producent: LGE
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN