BD441

Symbol Micros: TBD441
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 25; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD441-CDI; BD441G;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Producent: LGE
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: YFW Symbol producenta: BD441 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3700 0,7330 0,5700 0,5160 0,4990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
443 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
4243 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4239
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BD441G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
1450 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8322
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 25
Producent: LGE
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN