BD442

Symbol Micros: TBD442
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 40; 1,25W; 80V; 4A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD436; BD438; BD442STU; BD442G; BD442-CDI; BD442-LGE;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: CDIL
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: LGE Symbol producenta: BD442 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
780 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0900 0,5960 0,3910 0,3230 0,3110
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500/1000
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: CDIL
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP