BD679
Symbol Micros:
TBD679 c
Obudowa: TO126
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 40W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO126 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: LGE
Symbol producenta: BD679 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4200 | 0,7850 | 0,6170 | 0,5590 | 0,5480 |
| Moc strat: | 40W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Obudowa: | TO126 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |