BD679

Symbol Micros: TBD679 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor Darlington NPN; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: LGE Symbol producenta: BD679 RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
450 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4000 0,7710 0,6060 0,5490 0,5380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500/1000
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta