BD680A

Symbol Micros: TBD680a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor PNP; 750; 40W; 80V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD680A-CDI;
Parametry
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: YFW Symbol producenta: BD680A RoHS Obudowa dokładna: TO126  
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2900 0,6900 0,5370 0,4860 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 40W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP