BD681
Symbol Micros:
TBD681sgs
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683; BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parametry
Moc strat: | 40W |
Częstotliwość graniczna: | 1MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO126 |
Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681 RoHS
Obudowa dokładna: TO126
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 1,9400 | 1,2700 | 0,9090 | 0,7940 | 0,7400 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
736 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7400 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
61450 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7400 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD681
Obudowa dokładna: TO126
Magazyn zewnętrzny:
103506 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,7400 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-12-26
Ilość szt.: 800
Moc strat: | 40W |
Częstotliwość graniczna: | 1MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO126 |
Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |