BD681

Symbol Micros: TBD681sgs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD683; BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;
Parametry
Moc strat: 40W
Częstotliwość graniczna: 1MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ST Symbol producenta: BD681 RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9400 1,2700 0,9090 0,7940 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/850
Producent: ST Symbol producenta: BD681 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
736 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD681 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
61450 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD681 Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnętrzny:
103506 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2024-12-26
Ilość szt.: 800
Moc strat: 40W
Częstotliwość graniczna: 1MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 750
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN