BD911 JSMICRO

Symbol Micros: TBD911 JSM
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: JSMicro Semiconductor Symbol producenta: BD911 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6800 1,3200 1,2000 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: JSMICRO
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN