BD912 sgs

Symbol Micros: TBD912sgs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ST Symbol producenta: BD912 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
366 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta