BD912 sgs
Symbol Micros:
TBD912sgs
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 90W |
Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: ST
Symbol producenta: BD912 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
566 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,2000 | 2,7900 | 2,1600 | 2,0900 | 2,0000 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD912
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
15700 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,0000 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD912
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
22840 szt.
ilość szt. | 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,0000 |
Producent: ST
Symbol producenta: BD912
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1350 szt.
ilość szt. | 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,0000 |
Moc strat: | 90W |
Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
Producent: | STMicroelectronics |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 15A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |