BD912 sgs

Symbol Micros: TBD912sgs
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 250; 90W; 100V; 15A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ST Symbol producenta: BD912 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
566 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
15700 szt.
ilość szt. 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
22840 szt.
ilość szt. 1+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: BD912 Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1350 szt.
ilość szt. 50+ (Nieodpowiednia ilość? Zapytaj o inną.)
cena netto (PLN) 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 90W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 15A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP