BDP953H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBDP953
Obudowa: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R; Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parametry
| Moc strat: | 5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 15 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BDP953H6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9100 | 2,4500 | 2,0400 | 1,8100 | 1,7000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BDP953H6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
7200 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7000 |
| Moc strat: | 5W |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 15 |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT223 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |