BDX33B
Symbol Micros:
TBDX33b
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 750; 2W; 80V; 10A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | Power Innovations |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: Power Innovations
Symbol producenta: BDX33B
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 3+ | 9+ | 27+ | 81+ |
|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7200 | 1,1000 | 0,8040 | 0,6600 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BDX33BG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8190 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BDX33BG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
543 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7278 |
| Moc strat: | 2W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | Power Innovations |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |