BDX53CG ONS
Symbol Micros:
TBDX53cg ONS
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; Bipolar; 750; 100V; 5V; 8A; 65W; -65°C~150°C;
Parametry
| Moc strat: | 65W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BDX53CG RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4100 | 3,2400 | 2,6000 | 2,2300 | 2,1000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BDX53CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
50 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1000 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BDX53CG
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
347 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1000 |
| Moc strat: | 65W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Producent: | ONSEMI |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | Darlington NPN |