BF1202WR
Symbol Micros:
TBF1202wr
Obudowa: SOT343R
Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Maksymalny prąd drenu: | 30mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT343R |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 10V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
Producent: Philips
Symbol producenta: BR1202WR 115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT343R
Stan magazynowy:
69 szt.
| ilość szt. | 3+ | 15+ | 69+ | 345+ | 1725+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3700 | 0,8080 | 0,6210 | 0,5500 | 0,5260 |
| Maksymalny prąd drenu: | 30mA |
| Maksymalna tracona moc: | 200mW |
| Obudowa: | SOT343R |
| Producent: | NXP |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 10V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 6V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |